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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,从而简化了 SSR 设计。从而实现高功率和高压SSR。(图片来源:德州仪器)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,
基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
此外,

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。因此设计简单?如果是电容式的,基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,(图片:东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。负载是否具有电阻性,例如,基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

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